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IXTP4N60P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 7344  
說明:
 MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
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IXTP4N60P-TO-220-3圖片

IXTP4N60P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:10 ns
功率耗散:89 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4.6 s
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 Ohms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTP4N60P的詳細信息,包括IXTP4N60P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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