點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
典型關閉延遲時間：32 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：15 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：2.6 s
下降時間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.5 Ohms
漏極連續電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：IXYS
以上是IXTP3N120的詳細信息，包括IXTP3N120廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
