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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):125W(Tc)
FET 功能:耗盡模式
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1020 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):37.5 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):6 歐姆 @ 1.5A,0V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):3A(Tj)
漏源電壓(Vdss):1000 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Depletion
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS
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