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IXTA1R4N100P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 5297
說明：: MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

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IXTA1R4N100P-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IXTA1R4N100P PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：35 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：28 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：11 Ohms
漏極連續電流：1.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTA1R4N100P的詳細信息，包括IXTA1R4N100P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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