色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXSQ10N60B2D1

IXSQ10N60B2D1

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P-3
數量：: 6561
說明：: IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXSQ10N60B2D1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：20 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：100 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXSQ10N60B2D1的詳細信息，包括IXSQ10N60B2D1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：