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IXGQ90N33TCD1

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-3P
數量：
 1962  
說明：
 IGBT 晶體管 G-series A,B,C
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IXGQ90N33TCD1-TO-3P圖片

IXGQ90N33TCD1 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：200 W
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續集電極電流：90 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：1.8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：330 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXGQ90N33TCD1的詳細信息，包括IXGQ90N33TCD1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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