色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXGN200N60B

IXGN200N60B

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 1269
說(shuō)明：: IGBT 晶體管 200 Amps 600V 2.1 V Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXGN200N60B PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：10
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：200 A
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B-4
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single Dual Emitter
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXGN200N60B的詳細(xì)信息，包括IXGN200N60B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：