色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXGM17N100A

IXGM17N100A

廠家：: IXYS
封裝：: TO-204AE
數量：: 1683
說明：: POWER MOSFET TO-3

一、本商品被瀏覽0次.

IXGM17N100A PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-204AE
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：200 ns
測試條件：800V，17A，82 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：100ns/500ns
柵極電荷：120 nC
輸入類型：標準
開關能量：3mJ（關）
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：4V @ 15V，17A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：68 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1000 V
IGBT 類型：-
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXGM17N100A的詳細信息，包括IXGM17N100A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：