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IXFV18N60P

廠家:
  Ixys
封裝:
 PLUS220
數量:
 7263  
說明:
 MOSFET 600V 18A
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IXFV18N60P-PLUS220圖片

IXFV18N60P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:62 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:22 ns
功率耗散:360 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16 s
下降時間:22 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:PLUS 220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.4 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXFV18N60P的詳細信息,包括IXFV18N60P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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