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IXFT18N100Q3

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268AA
數量:
 1053  
說明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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IXFT18N100Q3-TO-268AA圖片

IXFT18N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:40 ns
上升時間:32 ns
功率耗散:830 W
柵極電荷 Qg:90 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降時間:13 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):660 mOhms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT18N100Q3的詳細信息,包括IXFT18N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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