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IXFP4N60P3

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 288  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
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IXFP4N60P3-TO-220-3圖片

IXFP4N60P3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):114W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):365 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):6.9 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.2 歐姆 @ 2A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:HiPerFET?, Polar3?
系列:管件
品牌:IXYS

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