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IXFK32N100Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-264-3，TO-264AA
數量：: 8202
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A

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IXFK32N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：250 ns
功率耗散：1250 W
柵極電荷 Qg：195 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-264
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：320 mOhms
漏極連續電流：32 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFK32N100Q3的詳細信息，包括IXFK32N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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