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IXDN602SI

廠家:
  Clare
封裝:
 8-SOIC-EP
數量:
 8502  
說明:
 MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
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IXDN602SI PDF參數資料

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中文參數如下:

配置:低端
輸入類型:非反相
延遲時間:35ns
電流 - 峰:2A
配置數:2
輸出數:2
高端電壓 - 最大(自引導啟動):-
電源電壓:4.5 V ~ 35 V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝

以上是IXDN602SI的詳細信息,包括IXDN602SI廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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