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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:i4-Pac?-5(3 引線)
安裝類(lèi)型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):1.7 μs
測(cè)試條件:960V,50A,5 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:46ns/205ns
柵極電荷:210 nC
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量:-
功率 - 最大值:290 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):420 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):70 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):3600 V
IGBT 類(lèi)型:-
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:BIMOSFET?
系列:管件
品牌:IXYS
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