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IXBA16N170AHV-TRL

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-263HV
數量:
 7713  
說明:
 DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
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IXBA16N170AHV-TRL-TO-263HV圖片

IXBA16N170AHV-TRL PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):360 ns
測試條件:1360V,10A,10 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關)值:15ns/160ns
柵極電荷:65 nC
輸入類型:標準
開關能量:1.2mJ(關)
功率 - 最大值:150 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):6V @ 15V,10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):40 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):16 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700 V
IGBT 類型:-
產品狀態:在售
包裝:BIMOSFET?
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS

以上是IXBA16N170AHV-TRL的詳細信息,包括IXBA16N170AHV-TRL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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