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ISL9N303AP3_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB
數量:
 7173  
說明:
 MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
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ISL9N303AP3_Q-TO-220AB圖片

ISL9N303AP3_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:35 ns, 51 ns
上升時間:80 ns, 69 ns
功率耗散:215 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns, 21 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0032 Ohms
漏極連續電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N303AP3_Q的詳細信息,包括ISL9N303AP3_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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