色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > IS46LD32128B-18BPLA1-TR

IS46LD32128B-18BPLA1-TR

廠家：: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封裝：: 168-VFBGA（12x12）
數(shù)量：: 2736
說明：: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA

一、本商品被瀏覽0次.

IS46LD32128B-18BPLA1-TR-168-VFBGA（12x12）圖片

IS46LD32128B-18BPLA1-TR PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：168-VFBGA（12x12）
封裝/外殼：168-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TC）
電壓 - 供電：1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V
訪問時間：5.5 ns
寫周期時間 - 字，頁：15ns
時鐘頻率：533 MHz
存儲器接口：HSUL_12
存儲器組織：128M x 32
存儲容量：4Gb
技術(shù)：SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q100
系列：卷帶（TR）
品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

以上是IS46LD32128B-18BPLA1-TR的詳細(xì)信息，包括IS46LD32128B-18BPLA1-TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機(jī)存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：