色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="o8esi"></strike>

<center id="o8esi"></center>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > IS43TR16128D-093NBLI

IS43TR16128D-093NBLI

廠家：: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封裝：: 96-TWBGA（9x13）
數量：: 3618
說明：: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA

一、本商品被瀏覽0次.

IS43TR16128D-093NBLI PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：96-TWBGA（9x13）
封裝/外殼：96-TFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 95°C（TC）
電壓 - 供電：1.425V ~ 1.575V
訪問時間：20 ns
寫周期時間 - 字，頁：15ns
時鐘頻率：1.066 GHz
存儲器接口：并聯
存儲器組織：128M x 16
存儲容量：2Gb
技術：SDRAM - DDR3
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q100
系列：托盤
品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

以上是IS43TR16128D-093NBLI的詳細信息，包括IS43TR16128D-093NBLI廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：