色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > IS43LQ32640A-062BLI-TR

IS43LQ32640A-062BLI-TR

廠家：: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封裝：: 200-VFBGA（10x14.5）
數量：: 1683
說明：: 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.

一、本商品被瀏覽0次.

IS43LQ32640A-062BLI-TR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：200-VFBGA（10x14.5）
封裝/外殼：200-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 95°C（TC）
電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
訪問時間：3.5 ns
寫周期時間 - 字，頁：18ns
時鐘頻率：1.6 GHz
存儲器接口：LVSTL
存儲器組織：64M x 32
存儲容量：2Gb
技術：SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

以上是IS43LQ32640A-062BLI-TR的詳細信息，包括IS43LQ32640A-062BLI-TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：