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IRLR8103VPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 2898
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC

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IRLR8103VPBF-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IRLR8103VPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：9 ns
功率耗散：89 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：27 nC
下降時間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10.5 mOhms
漏極連續電流：89 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRLR8103VPBF的詳細信息，包括IRLR8103VPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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