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IRL3103D1STRR

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 6120  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
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IRL3103D1STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRL3103D1STRR PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 34A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs43nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C64A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1900pF @ 25V
功率 - 最大3.1W
安裝類型表面貼裝

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