色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="q0umg"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IRG7PH35UD1-EP

IRG7PH35UD1-EP

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-247AD
數(shù)量：: 216
說明：: IGBT 1200V 50A 179W TO247

一、本商品被瀏覽0次.

IRG7PH35UD1-EP PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：600V，20A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：-/160ns
柵極電荷：130 nC
輸入類型：標準
開關能量：620μJ（關）
功率 - 最大值：179 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，20A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：溝道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IRG7PH35UD1-EP的詳細信息，包括IRG7PH35UD1-EP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：