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IRFW710BTM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 5715  
說明:
 MOSFET 400V N-Channel B-FET
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IRFW710BTM-TO-263圖片

IRFW710BTM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:750
上升時(shí)間:25 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :2.2 S
下降時(shí)間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:400 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是IRFW710BTM的詳細(xì)信息,包括IRFW710BTM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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