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IRFSL9N60A

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
數(shù)量:
 5256  
說明:
 MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp
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IRFSL9N60A-TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA圖片

IRFSL9N60A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:25 ns
功率耗散:170 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:22 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.75 Ohms
漏極連續(xù)電流:9.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFSL9N60A的詳細信息,包括IRFSL9N60A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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