色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFR9N20DPBF

IRFR9N20DPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D-Pak
數(shù)量：: 3231
說明：: MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRFR9N20DPBF PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：16 ns
功率耗散：86 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：18 nC
下降時間：9.3 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：380 m Ohms
漏極連續(xù)電流：9.4 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFR9N20DPBF的詳細(xì)信息，包括IRFR9N20DPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1