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IRFR220,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 DPAK
數量:
 387  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428
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IRFR220,118-DPAK圖片

IRFR220,118 PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 2.9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.8A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 280pF @ 25V
功率 - 最大42W
安裝類型表面貼裝

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