色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRFI820G

IRFI820G

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 855
說明：: MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

IRFI820G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：8.6 ns
功率耗散：30 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220 Full-Pak
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFI820G的詳細信息，包括IRFI820G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1