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IRFBC30STRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 5508
說明：: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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IRFBC30STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBC30STRR PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 歐姆 @ 2.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：3.6A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：660pF @ 25V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是IRFBC30STRR的詳細信息，包括IRFBC30STRR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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