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IRFB9N65APBF

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-220-3
數量：
 6169  
說明：
 MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
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IRFB9N65APBF-TO-220-3圖片

IRFB9N65APBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：34 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：20 ns
功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.93 Ohms
漏極連續電流：8.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFB9N65APBF的詳細信息，包括IRFB9N65APBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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