色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF840LCPBF-BE3

IRF840LCPBF-BE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 6426
說明：: MOSFET N-CHANNEL 500V

一、本商品被瀏覽0次.

IRF840LCPBF-BE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1100 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：850 毫歐 @ 4.8A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay Siliconix

以上是IRF840LCPBF-BE3的詳細信息，包括IRF840LCPBF-BE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1