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IRF820AS

廠家：
  Vishay Siliconix
封裝：
 D2PAK（TO-263）
數量：
 972  
說明：
 
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IRF820AS PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：340 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 1.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：Vishay Siliconix

以上是IRF820AS的詳細信息，包括IRF820AS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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