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IRF8113

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SO
數量：
 3780  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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IRF8113-8-SO圖片

IRF8113 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.6 毫歐 @ 17.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C17.2A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2910pF @ 15V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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