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IRF7831PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 3285
說(shuō)明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC

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IRF7831PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：17 ns
工廠包裝數(shù)量：95
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
下降時(shí)間：5.3 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7831PBF的詳細(xì)信息，包括IRF7831PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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