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IRF7807VD1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 2655
說明：: MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC

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IRF7807VD1PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：11 ns
工廠包裝數(shù)量：95
上升時(shí)間：1.2 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.5 nC
下降時(shí)間：2.2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：25 mOhms
漏極連續(xù)電流：8.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7807VD1PBF的詳細(xì)信息，包括IRF7807VD1PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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