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IRF7341QPBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 SOIC-8
數量：
 7173  
說明：
 MOSFET
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IRF7341QPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：2.4 W
柵極電荷 Qg：29 nC
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：65 mOhms
漏極連續電流：5.1 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：International Rectifier

以上是IRF7341QPBF的詳細信息，包括IRF7341QPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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