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IRF6655TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 SH
數量：: 3366
說明：: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH

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IRF6655TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：14 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：2.8 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：8.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6.6 S
下降時間：4.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET SH
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：53 mOhms
漏極連續電流：4.2 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6655TR1PBF的詳細信息，包括IRF6655TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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