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IRF6603TR1

廠家：: International Rectifier
封裝：: DIRECTFET? MT
數量：: 1224
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

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IRF6603TR1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數量：1000
功率耗散：3.6 W
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MT
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.4 mOhms
漏極連續電流：27 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6603TR1的詳細信息，包括IRF6603TR1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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