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IRF640L

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: I2PAK
數量：: 981
說明：: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

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IRF640L PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 11A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 最大130W
安裝類型通孔

以上是IRF640L的詳細信息，包括IRF640L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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