色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF630NSTRRPBF

IRF630NSTRRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D2PAK
數量：: 900
說明：: MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF630NSTRRPBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：14 ns
功率耗散：82 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23.3 nC
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.3 Ohms
漏極連續電流：9.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF630NSTRRPBF的詳細信息，包括IRF630NSTRRPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ