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IRF630

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 23081  
說明:
 MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
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IRF630-TO-220-3圖片

IRF630 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:39 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:28 ns
功率耗散:74 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRF630的詳細信息,包括IRF630廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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