色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<menu id="se606"></menu>

<cite id="se606"></cite>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF5810TR

IRF5810TR

廠家：: International Rectifier
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 405
說明：: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

一、本商品被瀏覽0次.

IRF5810TR PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型2 個 P 溝道（雙）
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.9A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.9A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 650pF @ 16V
功率 - 最大960mW
安裝類型表面貼裝

以上是IRF5810TR的詳細(xì)信息，包括IRF5810TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1