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IRF5803D2TR

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SO
數量：
 288  
說明：
 MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
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IRF5803D2TR-8-SO圖片

IRF5803D2TR PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點二極管（隔離式）
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 3.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1110pF @ 25V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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