色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPS135N03L G

IPS135N03L G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-251
數量：: 8753
說明：: MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms

一、本商品被瀏覽0次.

IPS135N03L G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPS135N03LGAKMA1 IPS135N03LGXK SP000788220
典型關閉延遲時間：12 ns
工廠包裝數量：1500
上升時間：3 ns
功率耗散：31 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0135 Ohms
漏極連續電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPS135N03L G的詳細信息，包括IPS135N03L G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1