色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPS06N03LZ G

IPS06N03LZ G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數(shù)量：: 4833
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

一、本商品被瀏覽0次.

IPS06N03LZ G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2653pF @ 15V
功率 - 最大83W
安裝類型通孔

以上是IPS06N03LZ G的詳細(xì)信息，包括IPS06N03LZ G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1