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IPP80N06S209

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 4950  
說明:
 MOSFET MOSFET
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IPP80N06S209 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:39 ns
上升時(shí)間:29 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:28 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):9.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPP80N06S209的詳細(xì)信息,包括IPP80N06S209廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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