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IPP050N06N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3
數量:
 5562  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 100A
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IPP050N06N G-PG-TO220-3圖片

IPP050N06N G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPP050N06NGXK
典型關閉延遲時間:59 ns
上升時間:31 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.005 Ohms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP050N06N G的詳細信息,包括IPP050N06N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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