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IPI65R150CFDXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數量：: 6813
說明：: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3

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IPI65R150CFDXKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：195.3W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2340 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 900μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 9.3A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：22.4A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：CoolMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPI65R150CFDXKSA1的詳細信息，包括IPI65R150CFDXKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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