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IPI200N15N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數量：: 4707
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A

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IPI200N15N3 G-TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA圖片

IPI200N15N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPI200N15N3GHKSA1 IPI200N15N3GXKSA1 SP000414724
典型關閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI200N15N3 G的詳細信息，包括IPI200N15N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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