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IPDH4N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 10753
說明：: MOSFET N-CH 60V 18A

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IPDH4N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：7 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：90 S / 45 S
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.4 m Ohms
漏極連續電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPDH4N03LA G的詳細信息，包括IPDH4N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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