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IPD65R380E6

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252-3
數量：: 4585
說明：: MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor

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IPD65R380E6 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6XT SP000795278
典型關閉延遲時間：57 nS
上升時間：7 nS
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：39 nC
下降時間：8 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.38 Ohms at 10 V
漏極連續電流：10.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：700 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD65R380E6的詳細信息，包括IPD65R380E6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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